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弗吉尼亚大学在氮化硅平台上实现异质集成光电二极管

来源:信息发布     编辑:信息发布人员     发布时间:2020年08月03日     浏览次数:         

 

  近日,美国弗吉尼亚大学与美国国家标准与技术研究院和瑞士LIGENTEC SA企业合作,在氮化硅波导上异质集成了改进的单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。

  光子集成电路(PIC)在电信、生物传感、量子信息和微波光子学等领域的应用日益增多。作为绝缘体上硅(SOI)和基于磷化铟(lnP)的光子集成电路的补充,氮化硅(Si3N4)光子平台因具有独特的光学特性而引起了广泛关注。由于氮化硅平台缺乏单片有源器件,所以需要异质集成的三五族器件进行功能完善。

  与PIN光电二极管相比,改进的单行载流子光电二极管的带宽可达20千兆赫兹。此外,该二极管的暗电流为20 纳安,在1550纳米和1064纳米处的外部响应率分别为0.8安/瓦和0.33安/瓦,内部响应率分别为0.94安/瓦和0.83安/瓦。

  (摘编自“国防科技信息网”)

  

  

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